液相SiC！國產技術又一突破

液相SiC長晶技術具有多個優勢，包括晶體質量高、成本低、易擴徑、易實現穩定的p型摻雜等，近年來受到高度關注。最近，國內在該技術領域實現了新的技術突破——液相法碳化硅長晶爐順利下線。

連城數控：液相法SiC長晶爐下線

3月21日，連城數控官微發文稱，該公司半導體晶體事業部首次研制的液相法碳化硅長晶爐順利下線，經檢驗各項性能達到預期目標。

公告還表示，連城數控今年一季度中標某重點客戶190臺碳化硅感應爐。

今年2月，連城數控全資子公司連城凱克斯半導體高端裝備研發制造二期項目啟動奠基，項目總投資10億元，主要建設碳化硅設備、單晶爐設備、光伏組件設備、ALD設備在內的研發組裝一體化生產線。

此外，在2022年7月，連城數控擬募資13.6億元，其中1.38億元用于碳化硅襯底加工裝備生產項目。項目實施主體為連城凱克斯，涉及SiC晶片制造中的長晶環節，建設周期預計為18個月。

6英寸將送樣、8英寸在路上

國內外液相法進展盤點

除連城數控外，其他液相法長晶爐設備研發制造單位還包括：合肥科晶材料技術、日本第一機電株式會社、日新技研、MTI公司等。

而液相法SiC長晶的研發工作主要集中在日本、韓國和中國，主要包括：中國的中科院物理所、北京晶格領域和常州臻晶半導體；日本的名古屋大學（UJ-Crystal）、住友金屬、豐田汽車、三菱電機、東京大學等；韓國的東義大學、韓國陶瓷工程技術研究所、延世大學等。

國內進展如下：

●2023年2月，晶格領域液相法碳化硅項目擴建中試線。據悉，該項目總投資4.5億元，是中科院物理所科技成果轉化項目，將分三期落地實施。目前，該項目已建成4-6英寸液相法碳化硅襯底試驗線，具備年產5400片碳化硅襯底生產能力。

●2022年11月，新潔能以自有資金人民幣2500萬元認購常州臻晶22.9592萬股。據悉，常州臻晶半導體的液相法碳化硅6英寸產品預計于2023年下半年（6-9月）向客戶送樣，目前已與目標客戶達成相關意向，8英寸產品預計2025年推出。

●中國科學院物理研究所陳小龍團隊于2021成功生長出了4英寸的4H-SiC晶體。

中科院物理所用TSSG法生長SiC單晶的代表性成果

日本方面，2021年10月，名古屋大學成功生產出了高質量的6英寸SiC單晶襯底，并且將結晶缺陷數量降至原來百分之一,計劃在2022年銷售樣品，2025年正式量產。

2022年5月，日本OXIDE公司宣布投資4億日元（約2100萬人民幣），與名古屋大學子公司UJ-Crystal等合作建設建設8英寸SiC晶圓工廠。

碳化硅晶體的生長方法主要有物理氣相傳輸法（PVT）、高溫化學氣相沉積法、液相法等。其中，PVT法是目前主流的碳化硅晶體生長方法，Wolfspeed、天岳先進、天科合達和爍科晶體等都采用該方法；而住友、晶格領域等采用液相法來實現碳化硅晶體的生長。

來源：行家說三代半